Micron, 1δ DRAM ve G11 NAND üretimini 2027’nin ikinci yarısında artırmayı hedefliyor

Micron Technology($MU), yeni nesil 1δ DRAM süreci ile 400 katmanı aşması planlanan G11 NAND üretimini 2027’nin ikinci yarısında artırmayı hedefliyor. Şirket, dikey HBM ve 3D DRAM geliştirme çalışmalarını da sürdürüyor.

Micron Başkanı ve Teknoloji ile Ürünlerden Sorumlu Üst Yöneticisi Scott DeBoer, 21’inde düzenlenen teknoloji web seminerinde “Bellek, yapay zekânın merkezinde yer alıyor ve bugün sistem performansını ve kapasitesini sınırlayan bir unsur” dedi. Micron, etkinlikte DRAM, HBM ve NAND teknolojilerine ilişkin yol haritasını açıkladı.

1δ, hâlihazırda seri üretimde olan 1γ sürecinin ardından gelecek DRAM nesli. DeBoer, 1δ’nin bit yoğunluğunun önceki nesle kıyasla yüzde 20’lerin ortasında artmasının hedeflendiğini belirtti. Bu artış, aynı alana daha fazla veri sığdırılmasını sağlayacak. Micron, süreci HBM5 ve dikey HBM gibi yapay zekâ odaklı ürünlere göre tasarlıyor.

Yeni nesil NAND ürünü G11’de, G9’a kıyasla bit yoğunluğunun iki katına, giriş çıkış hızının ise 1,5 katına çıkarılması hedefleniyor. Şirket, iki wafer’ı birleştiren bonding teknolojisini kullanmayı ve katman sayısını 400’ün üzerine çıkarmayı planlıyor. Micron, ayrıntılı teknik özellikleri ürünün piyasaya çıkış tarihi yaklaştığında açıklayacağını bildirdi.

Micron’un HBM geliştirme planında standart ve müşteriye özel ürünlerin yanı sıra dikey yapı da bulunuyor. Dikey HBM’de bellek, işlem biriminin üzerine doğrudan yerleştiriliyor. DeBoer, bağlantı yoğunluğu ve ısı yönetiminin teknik zorluklar arasında olduğunu söyledi. Micron, bu ürün için ticarileşme takvimi veya kesin performans değerleri paylaşmadı.

DRAM mimarisinde şirket, mevcut 6F² tabanlı süreçte küçültme çalışmalarını sürdürürken 3D DRAM de geliştiriyor. DeBoer, bu teknolojinin kullanıma alınma zamanının maliyet, üretim karmaşıklığı ve performans dikkate alınarak belirleneceğini söyledi.

Açıklanan plan, Micron’un yapay zekâ belleklerinde yoğunluğu, veri aktarım hızını ve yerleşim biçimini birlikte geliştirme hedefini ortaya koyuyor. Samsung Electronics ve SK Hynix de yapay zekâ belleği ile yüksek katmanlı NAND teknolojilerini tanıttı; sektördeki geliştirme yarışı sürüyor. Samsung Electronics’in 400 katmanı aşan bonding NAND ve belleğin işlem biriminin üzerine yerleştirildiği teknoloji konseptine ilişkin önceki haberimiz burada yer alıyor. Micron’un G11’e ilişkin ayrıntıları, 2027’deki lansman tarihi yaklaştığında açıklaması bekleniyor.