Roundhill Memory ETF'sinde (DRAM) İlk 3 Hisse %74,84 Ağırlığında

Roundhill Memory ETF'nin (DRAM) resmi verilerine göre en büyük 3 hissenin toplam ağırlığı %74,84'e ulaştı. Micron, Samsung Electronics ve SK Hynix, fonun toplam varlığının yaklaşık dörtte üçünü oluşturuyor.

Crypto Briefing 16'sında (yerel saatle) DRAM'in Micron Technology(MU) ağırlığının %25,42, toplam varlığının ise 27,44 milyar dolar olduğunu bildirdi. Roundhill'in resmi fact sheet'inde ise 30 Haziran itibarıyla toplam varlık 26,12 milyar dolar, Micron ağırlığı %25,81 olarak görünüyor. İki rakam arasındaki fark, veri tarihi ve hesaplama yönteminden kaynaklanıyor olabilir.

DRAM, Roundhill'in 2 Nisan'da borsaya sürdüğü, ABD'de işlem gören bir bellek yarı iletken ETF'si. Yönetim ücreti %0,65 ve fon aktif olarak yönetiliyor. Roundhill ürün sayfasında DRAM'i HBM, NAND, DRAM ve SSD gibi bellek ve depolama şirketlerine yatırım yapan 'ilk bellek hisse senedi ETF'si' olarak tanıtıyor.

Asıl dikkat çeken nokta yoğunlaşma seviyesi. Resmi fact sheet'e göre 30 Haziran itibarıyla en büyük üç pozisyon Micron %25,81, Samsung Electronics %25,04 ve SK Hynix %23,99 seviyesinde. Sadece bu üç hisse fonun yaklaşık dörtte üçünü oluşturuyor.

Aynı veride ülke dağılımı Güney Kore %49,04, ABD %39,51, Japonya %4,36, Tayvan %3,90 ve Çin %3,07 olarak kayıtlara geçti. ABD borsasında işlem gören bir ürün olmasına rağmen Kore şirketlerinin payı yarıya yakın; buna ABD'li Micron eklendiğinde Kore ve ABD kaynaklı büyük bellek şirketleri fonun performansının merkezine oturuyor.

Bu yapı Kore'deki yatırımcılar için de doğrudan önem taşıyor. DRAM'in fiyatı ABD borsalarında oluşuyor, ancak portföyde Samsung Electronics ve SK Hynix büyük ağırlıklarla yer alıyor. Döviz kuru, işlem saati farkı ve Kore'nin büyük yarı iletken hisselerindeki fiyat hareketleri ETF fiyatına birlikte yansıyabiliyor.

TokenPost daha önce, ABD'de işlem gören bir bellek ETF'sinin Çinli ChangXin Technology(长鑫科技) ağırlığını artırarak, Samsung Electronics ve SK Hynix'in de içinde bulunduğu küresel bellek portföyünde Çin şirketlerine olan maruziyeti genişlettiğini aktarmıştı. DRAM'deki bu dağılım, Çin şirketi içerip içermemesinden bağımsız olarak, bellek temalı ETF'lerin az sayıda büyük hisseye ne kadar sıkı bağlı olduğunu bir kez daha gösteriyor.

Roundhill izahnamesi, DRAM'deki hisse ağırlıklarının 'değiştirilmiş piyasa değeri' yöntemine dayandığını ve tek bir şirket için ağırlığın %25 ile sınırlandırıldığını açıklıyor. Ancak resmi fact sheet'te Micron ağırlığı %25'in üzerinde görünüyor. Fact sheet, hisse pozisyonları ile toplam getiri swap'larının (total return swap) toplanarak ağırlığın hesaplandığını belirtiyor.

Toplam getiri swap'ı, dayanak varlığın fiyat değişimi ve temettü gibi toplam getirisinin taraflar arasında değiş tokuş edildiği bir türev sözleşmesi. ETF sadece spot hisse tuttuğunda durum farklıyken, swap da kullanıldığında görünen ağırlık ile izahnamedeki yönetim kuralları birebir karşılaştırılamayabiliyor. Yatırımcıların hem hisse tablosunu hem de türev sözleşmelerinin nasıl yansıtıldığını birlikte incelemesi gerekiyor.

DRAM, 1940 Yatırım Şirketleri Yasası kapsamında çeşitlendirilmiş (diversified) bir fon olarak sınıflandırılmıyor. Roundhill izahnamesi ürünü 'çeşitlendirilmemiş' (non-diversified) olarak tanımlıyor ve az sayıda ihraççıya yatırım yapıldığında belirli bir hissedeki düşüşün etkisinin daha büyük olabileceğini belirtiyor. Bellek şirketlerinin ürün grubu, pazar, ekonomik döngü, teknoloji değişimi ve düzenleme değişikliklerinden etkilenebileceğine dair bir risk uyarısı da metinde yer alıyor.

Fon girişi hızlı oldu. Roundhill, 20 Nisan'daki basın açıklamasında DRAM'in halka arzın ardından sadece 10 işlem gününde 1 milyar doları aştığını duyurdu. Ardından 24 Haziran'da, lansmandan yaklaşık iki ay sonra yönetilen varlıkların 20 milyar doları geçtiğini açıkladı.

Roundhill aynı gün Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF'yi (RAM) de piyasaya sürdü. RAM, DRAM'in günlük performansının 2 katını hedefleyen kaldıraçlı bir ürün. Aynı bellek temasına dayansa da normal ETF ile kaldıraçlı ETF'nin risk yapısı birbirinden farklı.

RAM ürün sayfası, bir günden uzun ya da kısa dönemlerdeki getirinin DRAM getirisinin basit iki katı olmayabileceğini belirtiyor. Günlük hedef getiriyi tutturmaya çalışan kaldıraçlı ETF'lerde bileşik etki nedeniyle süre uzadıkça temel ETF'nin kümülatif getirisinden fark açılabiliyor.

DRAM'in performansı; Micron, Samsung Electronics ve SK Hynix'in bilançoları, bellek fiyatları, HBM talebi, döviz kuru ve işlem saati farklarından etkilenebilir. Resmi veriler net bir tablo ortaya koyuyor: Bu ETF 'saf bellek yatırımı' olarak sunuluyor olsa da fiili yönetim yapısı az sayıda büyük hisseye sıkı sıkıya bağlı.

Doğrulama için kullanılan başlıca kaynaklar Roundhill DRAM ürün sayfası, DRAM fact sheet'i, DRAM izahnamesi, Roundhill ve T-REX RAM lansman basın açıklamaları, ETF.com ve Crypto Briefing.