Groq, yeni nesil çipte SRAM yerine 3D istiflenmiş DRAM'i değerlendiriyor

Yapay zeka yarı iletkeni geliştiren Groq, yeni nesil çiplerinde üç boyutlu (3D) istiflenmiş DRAM paketleme teknolojisini kullanmayı değerlendiriyor. Plan, şu an çiplerde kullanılan SRAM'in yerini DRAM'in almasını öngörüyor.

Güney Kore merkezli ZDNet Korea'nın aktardığına göre Groq, 3D istiflenmiş DRAM paketlemeyi seçeneklerden biri olarak inceliyor. Sektörde bu adım, SRAM merkezli çip tasarımından uzaklaşıp çip kapasitesini ciddi biçimde artırma girişimi olarak yorumlanıyor. Konuyla ilgili Groq'tan resmi bir açıklama gelmedi.

SRAM ile DRAM'in ikisi de bellek türü olsa da yapıları farklı. SRAM hızlı çalışıyor ama depolayabildiği veri miktarı sınırlı. DRAM ise nispeten yavaş olsa da yüksek kapasiteli çipler için daha uygun. Yani Groq, hızı öne çıkaran bir tasarımdan kapasiteyi büyüten bir tasarıma doğru ağırlık kaydırıyor olabilir.

3D paketleme, birden fazla yarı iletken çipi yan yana dizmek yerine dikey olarak üst üste koyup tek bir çip haline getiren bir teknik. ZDNet Korea, bu yöntemin geleneksel 2D paketlemeye kıyasla çip yüzey alanını küçültebildiğini ve enerji verimliliğini artırabildiğini belirtti.

3D istiflenmiş DRAM, yalnızca Groq'un değil diğer şirketlerin de üzerinde çalıştığı bir alan. SK hynix, 8'inde düzenlenen Gelecek Forumu'nda 3D DRAM'in ticarileşmesinin önündeki engelleri ısı, ince bağlantılar ve süreç entegrasyonu olarak sıraladı. SK hynix Başkan Yardımcısı Kyunghoon Kim(Kyunghoon Kim) şöyle konuştu: "3D istiflenmiş DRAM'i gerçek bir ürüne dönüştürmek için yalnızca tasarım optimizasyonu yetmiyor; ısı ve süreç karmaşıklığı gibi geçmişte karşılaşılmayan teknik sorunların da çözülmesi gerekiyor." Kim'in sözleri, teknolojinin laboratuvardan seri üretime geçişinin hâlâ zorlu bir yol olduğuna işaret ediyor. SK hynix, 3D DRAM'in seri üretim zamanlamasını ve ürün özelliklerini de açıklamadı.