2027 başı hedefi: Samsung Electronics (005930), 3D Cube-H değerlendirmesine hazırlanıyor

Samsung Electronics (005930), yapay zekâ çiplerine yönelik 3D Cube-H geliştirmesini ve ilk tasarım kitini 2027 başına kadar tamamlamayı, ardından potansiyel müşterilerin değerlendirmesine sunmayı planlıyor.

MarsBit, takvimi ayın 10'unda saat 15.50'de Kore saatiyle bildirdi.

3D Cube-H, çipleri hibrit bağlama yöntemiyle dikey olarak üst üste yerleştirip birbirine bağlayan bir paketleme teknolojisi. GPU gibi mantık çiplerinin üst üste dizilmesi veya yüksek bant genişlikli bellek (HBM) gibi bellek yongalarının üzerine mantık çiplerinin eklenmesi, yüksek performanslı yapay zekâ çiplerinde kullanım seçenekleri arasında gösteriliyor.

Samsung'un daha önce geliştirdiği 3D Cube-T termal sıkıştırma yöntemiyle birleştirme kullanırken, geliştirme aşamasındaki 3D Cube-H'de hibrit bağlama uygulanıyor. MarsBit'in aktardığı bilgilere göre, uçlar arasındaki minimum aralık termal sıkıştırma yönteminde yaklaşık 25 µm, 3D Cube-H'de ise yaklaşık 6 µm. Hibrit bağlama, çipler arasındaki bakır bağlantıları doğrudan kurarak bağlantı yoğunluğunu artırabiliyor ve bit başına enerji tüketimini düşürebiliyor. Isıl özellikleri de termal sıkıştırma yönteminden farklı. Bu iki değer uçlar arasındaki aralığı ifade ediyor; tamamlanmış ürünlerin performans ölçümü değil.

3D Cube-H, ayrı üretilen çipleri paketleme aşamasında birleştiriyor. Bu yönüyle, bellek hücrelerini dikey olarak üst üste dizen 3D DRAM'dan farklı. TokenPost'un daha önce aktardığı üzere, SK hynix 3D DRAM'ın ticarileşmesindeki zorluklar arasında ısınma, ince bağlantılar ve süreç entegrasyonunu saymıştı.