Haberler 
Coin Bilgisi 
Hakkımızda 
Samsung Electronics'in (005930), ABD'nin Teksas eyaletindeki Taylor 2 tesisinde AMD (AMD) ve Nvidia (NVDA) için yüksek bant genişlikli bellek (HBM) taban yongası üretmeyi planladığı bildirildi.
Maeil Business Newspaper'ın 3 Kasım 2026'da saat 17.46'da (Kore Standart Saati, KST) yayımladığı haber, ismi açıklanmayan bir sektör temsilcisine dayandırıldı. Haberde Taylor 2'nin üretim kapasitesinin tamamının AMD ve Nvidia'ya tedarik edilecek HBM taban yongaları için sipariş edildiği, siparişlerin çoğunun AMD'ye yönelik olduğu öne sürüldü. Müşterilere göre miktarlar ve sözleşme büyüklüğü açıklanmadı.
Aynı haberde tesiste 2 nanometre sürecinin kullanılacağı, fabrikanın 2,7 milyon fit kare (yaklaşık 250 bin metrekare; ilk tesisin yaklaşık 1,5 katı) alana kurulacağı ve ekipman kurulumunun Şubat 2029'da başlamasının planlandığı belirtildi.
Samsung Electronics'ten bir yetkili, müşterilerle ilgili soruya “Müşterilerle ilgili konuları doğrulamak zor” yanıtını verdi.
Samsung Electronics, 29 Ekim'de açıkladığı üçüncü çeyrek sonuçlarında HBM taban yongası gelirindeki büyüme ile ileri üretim süreçlerinin satışlarındaki artışın dökümhane faaliyetlerinin iyileşmesine katkı sağladığını bildirdi.
Şirket ayrıca büyük hiper ölçekli bulut sağlayıcılarının da aralarında bulunduğu müşterilerden 2 nanometre yüksek performanslı bilgi işlem (HPC) siparişleri aldığını açıkladı. Müşterilerin adlarını veya bu siparişlerin Taylor 2'ye ait olup olmadığını paylaşmadı.
HBM taban yongası, HBM yığınında yer alan bir mantık yongasıdır. Samsung Electronics, Şubat ayında seri üretimine başladığını duyurduğu HBM4'te 4 nanometre mantık taban yongası kullandı. Bu bilgi mevcut HBM4 teknolojisini anlatıyor; Taylor 2'de 2 nanometre sürecinin kullanılacağı yönündeki haberi doğrulamıyor.
Haberdeki plan gerçekleşirse Samsung Electronics, ABD'de üretilen taban yongalarını Güney Kore'de üretilen DRAM ile birleştirerek tamamlanmış HBM'leri müşterilerine tedarik edecek. Dolayısıyla haber, Taylor 2'de AMD veya Nvidia için tamamlanmış işlemcilerin üretileceği anlamına gelmiyor; söz konusu üretim HBM'nin bir bileşeni olan taban yongasıyla ilgili.
Samsung Electronics ile AMD, mart ayında yeni nesil yapay zekâ bellek ve bilgi işlem teknolojilerinde iş birliği için mutabakat zaptı (MOU) imzaladı. İş birliği kapsamında AMD Instinct MI455X hızlandırıcısında kullanılacak HBM4 tedariki de yer aldı. İki şirket ayrıca gelecekteki AMD ürünlerinde Samsung Electronics'in dökümhane hizmetlerinden yararlanma olasılığını görüşme kararı aldı. Bu MOU, Taylor 2'ye yönelik bir siparişi doğrulamıyor.
Nvidia için gündeme gelen miktarların hangi ürünlere ayrıldığı ve siparişlerin niteliği haberde netleşmedi. Haberde Samsung Electronics'in yeni nesil özel HBM olan NVHBM'nin taban yongasını kendi üretim süreciyle üretmeyi değerlendirdiği, Nvidia'nın ise bellek üreticilerinden bu yongayı TSMC'de (TSM) üretmelerini istediği aktarıldı.
TokenPost daha önce Nvidia'nın özel HBM taban yongasının TSMC'nin 3 nanometre süreciyle üretileceğine ilişkin haberi yayımlamıştı. Yeni haberde Taylor 2'deki üretim kapasitesine ilişkin iddia ve Samsung Electronics'in kendi üretim sürecini değerlendirmesi birlikte yer aldı.
Samsung Electronics, ikinci çeyrek sonuçları için düzenlenen telekonferansta Taylor 2 tesisinin inşaatına yıl bitmeden başlamayı planladığını açıklamıştı. Şirketin seri üretim için belirttiği hedef tarih 2030.
Yorum 0