Back to top
  • 공유 Paylaş
  • 인쇄 Yazdır
  • 글자크기 Yazı tipi Boyutu
URL kopyalandı.

Samsung Electronics, HBM4 talebine yanıt için 4 nm kapasite artışını değerlendiriyor

Yarı iletken temiz odasında wafer taşıyıcı / TokenPost.ai

Samsung Electronics’in HBM4 için 4 nm lojik taban kalıbı talebine yanıt vermek amacıyla döküm üretim kapasitesini artırmayı değerlendirdiği bildirildi.

MoneyToday, 21’inde Samsung Electronics’in HBM4 talebindeki artış nedeniyle 4 nm üretim sürecinde kapasite artışını değerlendirdiğini bildirdi. Samsung Electronics’in HBM4 ürünü, 10 nm sınıfı 6. nesil 1c DRAM ile 4 nm süreciyle üretilen lojik taban kalıbından oluşuyor.

HBM4’ün taban kalıbı, GPU ile yapay zeka hızlandırıcısı arasındaki veri alışverişine yardımcı olan bağlantı katmanı olarak görev yapıyor. Samsung Electronics’in 4 nm üretim hatlarında mevcut kapasite kullanım oranının yüksek olduğu ve üretim kapasitesinin yarısından fazlasının HBM4 taban kalıbına ayrıldığı bildirildi.

Samsung Electronics’in HBM4E’de de 4 nm taban kalıbı kullanmayı, HBM5’te ise GAA yapısına sahip 2 nm üretim sürecini uygulamayı değerlendirdiği aktarıldı.

<Telif hakkı ⓒ TokenPost, yetkisiz çoğaltma ve yeniden dağıtım yasaktır >

Popüler

Diğer ilgili makaleler

Yorum 0

Yorum ipuçları

Harika bir makale. Takip talep etme. Mükemmel bir analiz.

0/1000

Yorum ipuçları

Harika bir makale. Takip talep etme. Mükemmel bir analiz.
1