400 kat üstü NAND: Samsung yapay zekadaki darboğazı hedefliyor

Samsung Electronics, 400 kattan fazla katmana sahip BV-NAND prototipini ve belleği yapay zeka hızlandırıcısının üzerine istifleyen zHBM konseptini tanıttı. Amaç, veri taşıma mesafesini kısaltarak yapay zeka sistemlerindeki bellek ve depolama darboğazını hafifletmek.

Samsung Electronics, Kore saatiyle 5-7 Ağustos tarihleri arasında ABD'nin Kaliforniya eyaletindeki Santa Clara kentinde düzenlenen Future of Memory and Storage 2026 (FMS 2026) etkinliğinde V10 Bonding V-NAND prototipini tanıttı. BV-NAND olarak adlandırılan bu prototip, 400 kattan fazla katman yapısını ve wafer bonding (gofret birleştirme) yöntemini kullanıyor.

BV-NAND'ın, bir önceki nesil V9 NAND'a kıyasla depolama yoğunluğunu yaklaşık yüzde 58 artıracak şekilde tasarlandığı PANews tarafından aktarıldı. Hücre katman sayısını artırmakla kalmayıp wafer bonding sayesinde depolama yoğunluğunu, okuma-yazma hızını ve giriş-çıkış performansını birlikte yükselten bir yapı söz konusu.

Wafer bonding, bellek hücrelerinin yerleştirildiği gofret ile çevresel devrelerin bulunduğu gofretin ayrı ayrı üretilip ardından birleştirilmesi anlamına geliyor. Bu yöntem, yapay zeka sistemlerinin ihtiyaç duyduğu yüksek kapasiteyi ve enerji verimliliğini aynı anda sağlamayı hedefliyor.

Samsung Electronics etkinlikte zHBM ve zNAND-O konseptlerini de sundu. Mevcut yüksek bant genişlikli bellek (HBM) çözümleri grafik işlem birimi (GPU) veya yapay zeka hızlandırıcısının yanına yerleştirilirken, zHBM belleği hızlandırıcının üzerine dikey olarak istifleyerek veri aktarım mesafesini kısaltan bir yapı sunuyor.

Paylaşılan açıklamalarda mevcut HBM5'e kıyasla 10 kattan fazla depolama yoğunluğu, yaklaşık 3 kat enerji verimliliği ve yarıdan düşük termal direnç hedefleri yer aldı. Ancak bu rakamlar seri üretim ürünlerinin kesinleşmiş özellikleri değil, konsept model aşamasındaki hedef değerler.

Yapay zeka modelleri büyüdükçe yalnızca işlem birimlerinin performansı değil, cihaz ile bellek arasında verinin ne kadar hızlı ve verimli taşındığı da önem kazanıyor. Veri merkezlerindeki yük, işlem gücünden bellek kapasitesine, bant genişliğine ve veri taşıma yapısına doğru kayıyor.

Bu yaklaşım, CXL tabanlı bellek havuzlama ile yapay zeka bellek darboğazına çözüm arayan sektör eğilimiyle örtüşüyor. Aynı etkinlikte Marvell Technology(MRVL), CPU ve GPU'ların harici, ayrık bellek birimlerine erişebilmesi için tasarlanan 260 hatlı CXL anahtarını tanıtıyor.

Samsung Electronics daha önce FMS 2025'te de HBM4, HBM4E, özel (custom) HBM, CXL tabanlı bellek genişletme ve Z-NAND tabanlı bellek sınıfı depolamayı, yeni nesil veri merkezi altyapısının ana eksenleri olarak sunmuştu. Bellek içine işlem fonksiyonu yerleştiren HBM-PIM'den farklı olarak zHBM, paketleme ve istifleme yapısını değiştirerek fiziksel mesafeyi kısaltan bir yaklaşım izliyor.

TrendForce, LinkedIn'de paylaştığı bir gönderide zHBM'i "bant genişliğini artırmak amacıyla belleğin GPU üzerine istiflendiği bir yapı" olarak değerlendirdi. Aynı gönderide Samsung Electronics'in net bir ürünleştirme takvimi sunmadığı da vurgulandı.

Bu açıklama, HBM rekabetinin nesil geçişinin ötesine geçerek paketleme, dökümhane (foundry) ve bellek entegrasyonu rekabetine doğru genişlediğini gösteriyor. Samsung Electronics, bellek, dökümhane ve paketleme yeteneklerini bir arada bulundurmasını yapay zeka bellek stratejisindeki fark yaratan unsur olarak öne sürüyor.

Kripto para ve blok zinciri sektörüyle doğrudan bir bağlantı şu an için doğrulanmadı. Etkinlikte yapay zeka sistemleri, veri merkezleri ve hiper ölçekli altyapılar için bellek ve depolama teknolojileri öne çıkan gündem maddeleri arasında yer alıyor. FMS 2026, Kore saatiyle 7 Ağustos'a kadar sürecek.