DRAM ETF'ye 8 haftadır kesintisiz 12 milyar dolar girişi

ABD'de işlem gören bellek yarı iletken borsa yatırım fonu (ETF) DRAM'a son iki ayda 12 milyar dolarlık net para girişi oldu. Yapay zeka (AI) altyapı yatırımlarında bellek çiplerinin kilit bileşen olarak öne çıkmasıyla Samsung Electronics ve SK Hynix gibi Kore'li şirketleri de bünyesinde barındıran bu ETF'nin para akışı dikkat çekiyor.

The Kobeissi Letter, X hesabından yaptığı paylaşımda Roundhill Memory ETF'nin (Roundhill Memory ETF, DRAM) yönetilen varlıklarının son iki ayda yüzde 20 artarak tarihi zirve olan 28 milyar dolara ulaştığını belirtti. Aynı dönemde fon fiyatı yüzde 28 gerilerken yaklaşık 12 milyar dolarlık net giriş yaşandı ve fon 8 hafta üst üste para girişi kaydetti.

DRAM, 2 Nisan'da işlem görmeye başlayan ABD merkezli bir ETF. Roundhill, ürün açıklamasında bu ETF'nin HBM, DRAM, NAND ve SSD gibi bellek yarı iletken şirketlerine yatırım yaptığını belirtiyor. 30 Haziran itibarıyla başlıca hisseler arasında Micron(MU), Samsung Electronics, SK Hynix, SanDisk(SNDK) ve Kioxia yer alıyor.

DRAM, ABD'nin genel yarı iletken endeksine değil, doğrudan HBM, DRAM, NAND ve SSD üreten bellek şirketlerine yatırım yapan bir ürün. Bu yapısıyla genel amaçlı çiplerden çok HBM ve sunucu bellek talebine daha doğrudan bağlı olduğu değerlendiriliyor.

Ancak para girişi ile fiyat hareketi aynı yönde ilerlemedi. The Kobeissi Letter'ın paylaştığı verilere göre DRAM son iki ayda net giriş kaydetti, fakat fiyatı yüzde 28 düştü. Bu durum, bir ETF'ye para girmesinin tek başına dayanak hisselerin ya da fon fiyatının yönünü belirlemediğini gösteriyor.

DRAM'ın halka arzından bu yana biriken toplam para girişi 27 milyar dolara ulaşırken fiyat kümülatif olarak yüzde 98 yükseldi. TokenPost daha önce Samsung Electronics ve SK Hynix'i bünyesinde barındıran ABD merkezli bellek yarı iletken ETF'lerine bu yıl 26,6 milyar dolarlık net giriş olduğunu aktarmıştı.

Kaldıraçlı ürünler de artış gösterdi. Roundhill, 24 Haziran'da Roundhill T-Rex 2X Long DRAM Daily Target ETF'yi (RAM) piyasaya sürdü. Ürün, DRAM'ın günlük getirisinin 2 katını hedefleyecek şekilde tasarlandı. The Kobeissi Letter, RAM'in piyasaya sürülmesinden bu yana yaklaşık 893 milyon dolarlık para girişi kaydettiğini belirtti.

Kaldıraçlı ETF'ler standart ETF'lerden farklı bir yapıya sahip. Roundhill, RAM'in ürün açıklamasında günlük bazda 2 kat getiri hedeflendiğini, ancak bir günü aşan dönemlerdeki getirinin DRAM getirisinin 2 katından farklılaşabileceğini belirtiyor. Volatilite arttıkça bileşik faiz etkisinin büyüdüğü, temel ETF yatay seyretse bile zarar oluşabileceği de açıklamada yer alıyor.

Bu para akışı, yapay zeka altyapı yatırımlarında bellek yarı iletken ürünlerinin de birlikte öne çıktığı şeklinde yorumlanabilir. Ancak hem DRAM hem de RAM yakın zamanda piyasaya sürülen ürünler ve bellek sektörü fiyat, arz ve talep değişimlerine karşı hassasiyetini koruyor.