Yüzde 50-60: Samsung 4nm kapasitesi HBM4'e kaydı iddiası

Samsung Electronics'in(005930) Pyeongtaek tesisindeki 4 nanometre foundry üretim kapasitesinin yüzde 50-60'ının HBM4(HBM4) taban çipine (base die) ayrıldığı bildirildi. Aylık 30 bin wafer'lık kapasitenin yaklaşık 15 bin wafer'lık kısmı HBM4 üretimine kayıyor.

DigiTimes'a göre, Samsung Electronics'in Pyeongtaek kampüsündeki 2. ve 3. hatlarda S5 ve S6 süreçleriyle üretilen 4 nanometre wafer'ların yarısından fazlası HBM4 taban çipine tahsis edildi.

HBM4 taban çipi, birden fazla bellek çipinin üst üste dizildiği HBM yapısının en altında yer alan lojik çip. Bellek ile dış işlemci arasındaki iletişimi ve bellek kontrolünü üstleniyor.

HBM4'te taban çip, bellek sürecinde değil lojik foundry sürecinde üretiliyor. Bu nedenle HBM4 talebindeki artış yalnızca bellek üretim hatlarını değil, ileri düzey foundry süreçlerindeki kapasite dağılımını da etkileyebiliyor.

Samsung Electronics, HBM4'te 4 nanometre lojik taban çip kullandığını resmi olarak açıkladı. Şirket, HBM4'ün 1c DRAM ve 4 nanometre lojik süreci temel aldığını, yeni nesil yapay zeka veri merkezlerini hedefleyen bir ürün olduğunu belirtti. Samsung Electronics'in HBM4 ürününde 4 nanometre lojik taban çip kullanıldığı açıklandı.

Bu tahsisin, Samsung Electronics'in bellek ve foundry yeteneklerini tek çatı altında birleştirerek HBM4 arzını artırma yönteminin bir parçası olduğu yorumu yapılıyor. Taban çipin tasarım ve üretiminin kendi foundry'sinde yapılması, bellek ürünleriyle lojik çip geliştirmesi arasında bağlantı kurulmasına imkan tanıyor.

Buna karşılık, dışarıdan foundry hizmeti alan müşteriler açısından aynı 4 nanometre süreçte kullanılabilecek üretim kapasitesi daralabilir. Özellikle kapasitenin yarısından fazlası tek bir ürün grubuna ayrıldığında, 4 nanometre süreç ihtiyacı olan diğer tasarım şirketlerinin sipariş miktarı ve teslim süreleri etkilenebilir.

Ancak müşteri bazında gerçek tahsis miktarları veya sipariş ayarlamaları açıklanmadı. Bildirilen yüzde 50-60'lık tahsis oranının ne kadar süre devam edeceği de henüz belli değil.

HBM4, yapay zeka hızlandırıcıları için gereken bellek bant genişliğini artıran yeni nesil yüksek bant genişlikli bellek. Yapay zeka işlem hacmi büyüdükçe, işlemci ile bellek arasında veriyi hızlı taşıyan taban çipin rolü de önem kazanıyor.

Samsung Electronics, HBM4 ticari ürününde 4 nanometre taban çip kullandığını ve seri üretim ile sevkiyata başladığını duyurdu. HBM4'ü oluşturan bellek çipleri ile taban çipin birlikte tedarik edilebilmesi, şirketin öne çıkardığı bir farklılaşma unsuru olarak gösteriliyor.

TokenPost'un daha önceki haberine göre, Samsung Electronics foundry'sinin 4 nanometre üretim kapasitesi, HBM4 taban çipi ve yapay zeka çıkarım çipi talebiyle gelecek yılın siparişlerine kadar hızla tükeniyor. Bu haberde de HBM4 talebinin foundry üretim kapasitesiyle iç içe geçtiği yapı ele alınmıştı.

HBM4 arzının genişlemesi, bellek üreticileri arasındaki rekabetin yanı sıra ileri süreç kapasitesi rekabetini de etkileyebilir. Foundry üretim kapasitesinin HBM4'e daha fazla ayrılması, Samsung Electronics'in bellek iş kolu ile foundry iş kolu arasındaki üretim kaynağı dengelemesini de önemli hale getiriyor.

TrendForce da konuyla ilgili haberinde Pyeongtaek tesisinin aylık 4 nanometre üretim kapasitesinin 30 bin wafer olduğunu aktardı. HBM4 taban çipine kapasitenin yarısından fazlasının ayrılması halinde diğer 4 nanometre müşterilerinin kullanabileceği kapasitenin sınırlanabileceği değerlendirmesi yapıldı. 20 Mart'ta (yerel saatle) TrendForce'un konuyla ilgili haberi.

Bu gelişme, yapay zeka veri merkezi genişlemesinin yalnızca bellek talebini değil, lojik foundry üretim kapasitesinin dağılımını da etkilediğini gösteriyor. Samsung Electronics'in 4 nanometre üretim kapasitesi içinde HBM4 taban çipinin payının gerçekten yüzde 50-60 seviyesinde olup olmadığı ve bu tahsisin ne kadar süreceği konusunda ek doğrulama gerekiyor.