Yüzde 25'te kalan HBM3 verimiyle CXMT'de TSV farkı görüldü

Çin'in en büyük DRAM üreticisi CXMT'nin (ChangXin Memory Technologies) deneme üretimindeki HBM3 verimliliğinin başlangıçta yüzde 25 düzeyinde kaldığı bildirildi. SK Hynix'in(000660) yüzde 90'ın üzerindeki verimliliğiyle karşılaştırıldığında aradaki teknoloji farkı bir kez daha gündeme geldi.

Chosun Biz, 9'unda (yerel saatle) CXMT'nin 8 katmanlı HBM3 ürününde ön süreç verimliliğinin yaklaşık yüzde 30, arka süreç sonrası nihai kullanılabilir ürün oranının ise yaklaşık yüzde 25 olduğunu bildirdi. Habere göre CXMT, ürettiği az miktardaki HBM örneklerini Alibaba'nın T-Head birimi ve Cambricon(688256) gibi Çinli şirketlere tedarik ederken verimlilik çalışmalarını sürdürüyor.

Chosun Biz'in aktardığına göre HBM'de kullanılan DRAM yongaları standart ürünlere kıyasla daha büyük ve elektriksel özellikleri daha zorlu; bu durum 'silikon içinden geçiş' anlamına gelen TSV (Through-Silicon Via) ile katmanlama ve bağlama süreçlerinde hatalara yol açıyor. Yarı iletken analiz şirketi Nomad Semi'nin değerlendirmesine göre CXMT'nin yonga başına TSV sayısı yaklaşık 3 bin düzeyinde kalırken, bu rakam Samsung Electronics'in(005930) HBM2 ürününde 5 binin, SK Hynix'in HBM3 ürününde ise 8 binin üzerinde bulunuyor.