Back to top
  • 공유 Paylaş
  • 인쇄 Yazdır
  • 글자크기 Yazı tipi Boyutu
URL kopyalandı.

Samsung, 2028'de HighNA EUV ile DRAM üretimine geçmeyi hedefliyor

Samsung, 2028'de HighNA EUV ile DRAM üretimine geçmeyi hedefliyor / Tokenpost

Samsung Electronics(005930), ASML(ASML) ile birlikte yeni nesil 12 inçlik fotomask geliştirmeye başladı ve 2028 yılına kadar gelişmiş DRAM üretiminde ‘HighNA EUV’ teknolojisine geçmeyi planlıyor.

Samsung Electronics, 8'inde ASML öncülüğündeki büyük ölçekli fotomask konsorsiyumuna katıldığını duyurdu. Konsorsiyum, mevcut 6 inçlik fotomaskları 12 inçe dönüştürmek için ortak araştırma ve standart geliştirme çalışmaları yürütecek.

Şirket, ‘12 inçlik fotomaskların’ HighNA EUV'nin üretkenliğini artıracağını ve devreleri ayrı ayrı işleyip ardından birleştirme sürecindeki kısıtlamaları azaltarak çip üretim maliyetlerini düşürebileceğini açıkladı. Samsung Electronics, 2028 yılına kadar gelişmiş DRAM üretiminde HighNA EUV'yi devreye alarak süreç sadeleştirmesi ve üretkenlik artışı hedefliyor.

<Telif hakkı ⓒ TokenPost, yetkisiz çoğaltma ve yeniden dağıtım yasaktır >

Popüler

Diğer ilgili makaleler

Yorum 0

Yorum ipuçları

Harika bir makale. Takip talep etme. Mükemmel bir analiz.

0/1000

Yorum ipuçları

Harika bir makale. Takip talep etme. Mükemmel bir analiz.
1