Back to top
  • 공유 Share
  • 인쇄 Print
  • 글자크기 Font size
URL copied.

Samsung, 2028'de HighNA EUV ile DRAM üretimine geçmeyi hedefliyor

Samsung, 2028'de HighNA EUV ile DRAM üretimine geçmeyi hedefliyor / Tokenpost

Samsung Electronics(005930), ASML(ASML) ile birlikte yeni nesil 12 inçlik fotomask geliştirmeye başladı ve 2028 yılına kadar gelişmiş DRAM üretiminde ‘HighNA EUV’ teknolojisine geçmeyi planlıyor.

Samsung Electronics, 8'inde ASML öncülüğündeki büyük ölçekli fotomask konsorsiyumuna katıldığını duyurdu. Konsorsiyum, mevcut 6 inçlik fotomaskları 12 inçe dönüştürmek için ortak araştırma ve standart geliştirme çalışmaları yürütecek.

Şirket, ‘12 inçlik fotomaskların’ HighNA EUV'nin üretkenliğini artıracağını ve devreleri ayrı ayrı işleyip ardından birleştirme sürecindeki kısıtlamaları azaltarak çip üretim maliyetlerini düşürebileceğini açıkladı. Samsung Electronics, 2028 yılına kadar gelişmiş DRAM üretiminde HighNA EUV'yi devreye alarak süreç sadeleştirmesi ve üretkenlik artışı hedefliyor.

<Copyright ⓒ TokenPost, unauthorized reproduction and redistribution prohibited>

Most Popular

Other related articles

Comment 0

Comment tips

Great article. Requesting a follow-up. Excellent analysis.

0/1000

Comment tips

Great article. Requesting a follow-up. Excellent analysis.
1