SK Hynix’ten 3D DRAM hamlesi: Lojik döküm süreciyle yeni bellek mimarisi

SK Hynix, bellek ve lojik, döküm (foundry) ve paketleme alanlarını bir araya getiren 3D DRAM teknoloji yol haritasını açıkladı. Isınma, mikro bağlantı ve süreç entegrasyonu ise ticarileşme öncesinde çözülmesi gereken sorunlar olarak öne çıkıyor.

Şirket, 8’inde (yerel saatle) Güney Kore’nin Gyeonggi eyaletindeki İcheon SUPEX Merkezi’nde düzenlenen “2026 SK Hynix Gelecek Forumu”nda 3D bellek teknolojisine ilişkin temel yönelimlerini paylaştı. SK Hynix Başkan Yardımcısı Kyunghoon Kim ve yine SK Hynix Başkan Yardımcısı Hoyoung Son, △DRAM çevresel devrelerinde lojik döküm sürecinin kullanılması △veri veriyolu genişliğinin artırılması △çok kısa mesafeli veri aktarımı konularını öncelikli görevler olarak sıraladı.

3D DRAM, düzlemsel biçimde yerleştirilen bellek hücrelerini dikey olarak istifleyerek yoğunluğu artıran bir teknoloji. Farklı işlevlere sahip çiplerin ayrı ayrı üretilip daha sonra birleştirildiği heterojen entegrasyonu da kapsıyor; bellek ve lojik devreler birbirine bağlanarak veri hareket mesafesi kısaltılıyor.

Kyunghoon Kim, “3D katmanlı DRAM’i gerçek bir ürüne dönüştürmek için yalnızca tasarım optimizasyonu değil, ısınma ve süreç karmaşıklığı gibi geçmişte karşılaşılmayan yeni teknik sorunların da çözülmesi gerekiyor” dedi. Birden fazla katmanı hassas biçimde birbirine bağlamanın ve üretim sürecini istikrarlı şekilde bütünleştirmenin ürünleşmenin anahtarı olduğunu vurguladı.

Paketleme teknolojisi de öne çıkan bir başlık oldu. Mikro bağlantı hatları, bonding ve süreç entegrasyonunun birlikte ele alınması gerekiyor; gofre üretiminin yapıldığı ön uç süreçlerle çip bağlama ve montajının yapıldığı arka uç süreçler arasındaki sınır daraldıkça, tasarım aşamasından itibaren üretim ve paketlemenin birlikte optimize edilmesi gerektiği belirtildi.

Hoyoung Son, “3D teknoloji, gofre süreci ile paketleme arasındaki teknik sınırları da değiştiriyor” diyerek, “ileri paketleme alanındaki yenilikle birlikte, mevcut alanların ötesine geçen ortak optimizasyon ve yeni iş birliği modelleri kurulmalı” dedi. Bu açıklama, 3D bellek geliştirmenin yalnızca bellek üreticilerinin değil, döküm ve paketleme ekosisteminin ortak görevi haline geldiğini gösteriyor.

Kore Üniversitesi’nden Profesör Shin Chang-hwan ise 3D teknolojiyi yalnızca çiplerin dikey olarak istiflenmesi değil, bellek ile işlem çipleri arasındaki ayrımı ortadan kaldıran bir teknoloji olarak tanımladı. Cihaz minyatürleşmesinin sınırlarına yaklaştığı ve sistem ile bellek arasındaki veri hareketinden kaynaklanan zaman ve güç yükünün arttığı bir ortamda, malzeme, cihaz, paketleme ve mimariyi yapay zekâ ile birbirine bağlayan 3D entegre tasarım sisteminin gerekli olduğunu önerdi.

Daha önce Çinli yarı iletken ekipman üreticisi Naura’nın 3D DRAM ile ilgili aşındırma (etching) sürecinde bir atılım iddia ettiği örnekte görüldüğü gibi, 3D DRAM istifleme, bağlantı, aşındırma ve verim (yield) elde etme gerekliliklerinin bir arada ele alındığı bir teknoloji olarak konumlanıyor. Ancak şirketlere göre teknoloji düzeyi ve seri üretim aşaması farklılık gösteriyor.

SK Hynix, 3D katmanlı DRAM’i HBM ve HBF ile iş özelliklerine göre birleştirip yapay zekâ hizmetleri, yazılım ve hızlandırıcı şirketleriyle sistem düzeyinde ortak tasarım yürütmeyi öngören “tam yığın (full-stack) yapay zekâ belleği” yaklaşımını da ortaya koydu.

SK Hynix CEO’su Kwak Noh-Jung, bellek pazarını sürekli değişen virajlı bir yola benzeterek, yalnızca iç yeteneklerin değil, dış çevredeki değişim hızının ve yönünün de esnek biçimde takip edilmesi gerektiğini söyledi. SK Hynix, forumda ortaya çıkan tartışmaları kurum içi eğitim içeriği olarak derleyip her birimin görevleriyle ilişkilendirmeyi planlıyor. 3D DRAM’in somut seri üretim zamanı ve ürün özellikleri henüz açıklanmadı.