Samsung, HBM'de %230 bant genişliği hedefleyen zHBM planını açıkladı

Samsung'un, yüksek bant genişlikli bellek 'HBM(HBM)' teknolojisini üç aşamalı bir yol haritasıyla geliştirerek, DRAM'i doğrudan işlem çipinin üzerine istifleyen 'zHBM' mimarisine taşımayı planladığı ortaya çıktı.

Çin merkezli finans medyası Wall Street Jianwen(华尔街见闻)'in haberine göre, Samsung DRAM tasarım ekibinden Sangwook Han, yakın zamanda düzenlenen Hot Chips teknoloji konferansındaki sunumunda bu HBM gelişim planını duyurdu. Habere göre zHBM, GPU(GPU) ve TPU(TPU) gibi işlem çiplerinin üzerine DRAM'i dikey biçimde istifleyerek, günümüzde kullanılan 2.5D ara katman (interposer) yapısını ortadan kaldıran bir tasarım.

Wall Street Jianwen'in aktardığına göre Samsung tarafı, zHBM'nin standart HBM4E'ye kıyasla güç tüketimini yüzde 70 azaltabileceğini ve DRAM bant genişliğini yüzde 230 artırabileceğini belirtti. Habere göre bu yapı, DRAM modülü başına 100 watt(W) güç tasarrufu sağlarken GPU'ya yüzde 8,3 oranında ek güç payı sunabiliyor.

Samsung Electronics(005930.KS)'in bu üç aşamalı yol haritası, DRAM'in işlem çipiyle giderek daha sıkı entegre edildiği bir yönde ilerliyor; şirketin zHBM mimarisine geçiş takvimine ilişkin ayrıntılı bilgi ise henüz paylaşılmadı.