Samsung'dan HBM taban çipte 2 nanometre hamlesi: Giheung 2. hat gözden geçiriliyor

Samsung Electronics(005930), Giheung kampüsündeki NRD-K 2. hattını araştırma-geliştirme tesisinden döküm (foundry) üretim hattına dönüştürme seçeneğini değerlendiriyor. Hedeflenen ürün, Nvidia(NVDA)'nın yüksek bant genişlikli bellek (HBM) çözümlerinde kullanılan 2 nanometre taban çip (base die).

ZDNet Korea'nın haberine göre Samsung, NRD-K 2. hattın orijinal kullanım amacını değiştirerek 2028'in ikinci yarısında devreye almayı hedefleyen bir döküm hattına çevirmeyi planlıyor. Hattın, başka üretim hatlarından gelen gofretleri (wafer) alıp yalnızca belirli bir üretim aşamasını üstlendiği 'Send-Fab' yöntemiyle işletilmesi olasılığı da gündemde.

NRD-K, Samsung'un Giheung kampüsünde inşa ettiği yeni nesil yarı iletken kompleksi araştırma-geliştirme merkezi. Toplam yatırım tutarı yaklaşık 20 trilyon won olarak açıklandı. Planlanan üç hattan ilki, 2024 yılı sonunda tamamlanmıştı. Şirketin bu adımı, araştırma-geliştirme ağırlıklı tesisin bir bölümünü yapay zeka çipleri için artan döküm talebine göre yeniden konumlandırma niteliği taşıyor.

Sürecin odağında HBM taban çipi var. Taban çip, birden fazla DRAM'in dikey olarak istiflendiği HBM yapısının en altında yer alan ve grafik işlem birimi (GPU) gibi harici işlemcilerle veri alışverişini sağlayan lojik çip. HBM4 sonrasında bellek üretim sürecinden çok, döküm tarafındaki en ileri düzey süreçlerin ağırlığı arttı. Çünkü veri işleme hızı, güç verimliliği ve ısı yönetimi doğrudan taban çipin tasarımına bağlı.

Samsung'un özel (custom) HBM ürünlerinde ve HBM5'te 2 nanometre süreci uygulama planında olduğu aktarıldı. Bu, yeni nesil HBM rekabetinde taban çip üretim süreci ve paketleme teknolojisinin öneminin arttığı anlamına geliyor.

Gelecek nesil ürünlerde 2 nanometre süreç uygulaması da gündemde. Plana göre HBM5 taban çipinde geçitle çevrili (gate-all-around, GAA) yapıya sahip 2 nanometre süreç kullanılacak ve daha yüksek yoğunluklu TSV (silikon üzerinden geçiş, through-silicon via) uygulanacak. Bu da HBM performans rekabetinin, bellek katmanlamanın ötesinde taban çip üretimi ve paketleme teknolojisine kaydığını gösteriyor.

Bu gelişme, Kore'nin yarı iletken tedarik zinciriyle de bağlantılı. TokenPost daha önce 2027 yılı DRAM ve HBM üretim kapasitesinin erken tükendiğine dair bilgileri aktarmıştı. Ayrıca Nvidia'nın 2027 HBM talebinin, teknik özellik değişiklikleri nedeniyle yaklaşık yüzde 10 azalabileceğine dair analizi de haberleştirmişti. HBM arzı ve çip başına yerleştirilen kapasite, hem Samsung'un hem de büyük müşterilerinin üretim stratejisini doğrudan etkiliyor.

Ancak NRD-K 2. hattın dönüşümü henüz orta-uzun vadeli değerlendirme aşamasında. Hattın 2028'in ikinci yarısında devreye girmesi planlanıyor; ekipman satın alma siparişlerinin de resmi olarak verilmediği belirtildi. Samsung'un bu hattı daha önce DRAM üretimi için kullanma seçeneğini de değerlendirmiş olması, nihai kullanım amacının piyasa koşulları ve müşteri talebine göre değişebileceğini gösteriyor.

DRAM üretim kapasitesinin ise Pyeongtaek kampüsünde yoğunlaşacağı yönünde bilgiler aktarıldı. NRD-K 2. hattın döküm amacıyla kesinleşmesi durumunda, Samsung'un HBM stratejisi bellek, döküm ve ileri paketlemeyi bir arada ele alan bir yapıya daha da yaklaşmış olacak.