Samsung'un NRD-K2 hattını HBM5'e çevireceği iddia edildi

Samsung Electronics(005930)'in yüksek bant genişlikli bellek (HBM) talebindeki artışa karşılık NRD-K2 üretim hattını özel HBM ('cHBM') ve HBM5 taban çipi ('base die') üretimine dönüştürüp genişleteceği öne sürüldü.

14'ünde (yerel saatle), BlockBeats'e göre Samsung Electronics, NRD-K2 hattını yeni nesil HBM üretimine yönlendirerek cHBM ve HBM5 taban çipi kapasitesini artırmayı planlıyor.

Gu Ja-heum(Gu Ja-heum), Samsung Electronics Foundry İş Birimi Teknoloji Geliştirme Ofisi Başkan Yardımcısı, 27 Temmuz'da Samsung Semiconductor Newsroom'a verdiği röportajda “HBM5 taban çipinde GAA yapısına sahip 2 nanometre süreç kullanılacak ve daha yüksek yoğunluklu silikon delik elektrotları (TSV) uygulanacak” dedi. Gu, HBM5'in çalışma hızının HBM4E'ye kıyasla yüzde 50'den fazla artmasının beklendiğini de sözlerine ekledi.

Taban çip, katmanlı DRAM ile grafik işlemci (GPU) ve merkezi işlemci (CPU) gibi harici işlemcileri birbirine bağlayan bir lojik yarı iletkendir. Hat dönüşümü ve kapasite artışı planının gerçek üretim hacmine ve müşteri tedarik takvimine nasıl yansıyacağı ise henüz netlik kazanmadı.